Ist das gut?

geforceeee

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Hi leutz,
könnt ihr mir helfen, ob ich diese 2gb riegel kaufen soll: http://www.alternate.de/html/product/details.html?articleId=125804&showTechData=true
ist so schön billig aber auch gut?
Danke
geforceeee
 

light-clocker

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http://www.alternate.de/html/product/details.html?articleId=138986

Der is besser
 

Herbboy

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light-clocker am 19.05.2007 19:06 schrieb:
http://www.alternate.de/html/product/details.html?articleId=138986

Der is besser



der beste ist der, der mit dem verwendeten board einwandfrei läuft. RAM mit super latenten usw. nutz ja nix, wenn es dann bei DEM board nur deutlich schlechteren latnzen geht.


also: welches board überhaupt?
 
TE
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geforceeee

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Herbboy am 19.05.2007 19:13 schrieb:
light-clocker am 19.05.2007 19:06 schrieb:
http://www.alternate.de/html/product/details.html?articleId=138986

Der is besser



der beste ist der, der mit dem verwendeten board einwandfrei läuft. RAM mit super latenten usw. nutz ja nix, wenn es dann bei DEM board nur deutlich schlechteren latnzen geht.


also: welches board überhaupt?

wahrscheinlich Gigabyte 965P DS3P
 
TE
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geforceeee

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light-clocker am 19.05.2007 19:06 schrieb:
http://www.alternate.de/html/product/details.html?articleId=138986

Der is besser

ich hab noch ne frage?
Woran siehste das genau? Und was heißn oder bedeuten eigentlich diese Timings oder Latenzen (falls das das gleiche ist) wie 4 4 4 12?
 

light-clocker

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geforceeee am 19.05.2007 19:43 schrieb:
Woran siehste das genau?

An den Times sehe ich, dass dieser RAM besser ist, da sie niedriger sind.

Und was heißn oder bedeuten eigentlich diese Timings oder Latenzen (falls das das gleiche ist) wie 4 4 4 12?

CAS (column access strobe) - latency (CL):
gibt an, wieviele Taktzyklen der Speicher benötigt, um Daten bereit zu stellen. Kleinere Werte sind prinzipiell besser.

Beispiel: Ist DDR1/400 mit CAS 3 im Vergleich zu DDR1/333 mit CAS 2,5 schneller?

333MHZ / 2,5 = 133,2 [bereit gestellte Daten]
400MHZ / 3 = 133,3 [bereit gestellte Daten]

Der höher getaktete Speicher zeigt aufgrund seiner höheren Latenz gegenüber dem 333MHZ Speicher keinen Geschwindigkeitsvorteil.


RAS (row access strobe) - precharge delay (tRP):
bezeichnet die Zeit, die der Speicher benötigt um den geforderten Spannungszustand zu liefern. Erst nach Erreichen des gewünschten Ladezustandes kann das RAS-Signal gesendet werden. Auch hier verbessern niedrigere Werte die Performance des Speichers.


RAS to CAS Delay (tRCD):
hierbei wird über die Abtastsignale „Spalten“ und „Zeilen“ eine bestimmte Speicherzelle lokalisiert, der Inhalt dieser kann dann bearbeitet werden (Auslesen/Beschreiben). Zwischen der Abfrage „Zeile“ und der Abfrage „Spalte“ befindet sich eine festgelegte Verzögerung ==> Delay. Ein geringerer Wert lässt ebenfalls einen Performancegewinn entstehen.


Row-Active-Time (tRAS): Erlaubte Neuzugriffe nach festgelegter Anzahl von Taktzyklen, setzt sich rein rechnerisch aus CAS + tRP + Sicherheit zusammen. Auch hier gilt, kleinere Werte erhöhen die Performance des Speichers.


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