sobald n patch rauskommt geht der stick dann bestimmt nich mehr
mh usbstick sind flashspeicher und keine cd/dvd-
rom
rom=
Read Only Memory, siehe
Festwertspeicher
Flash-Speicher sind
digitale Speicherchips; die genaue Bezeichnung lautet
Flash-EEPROM.
Bei einem Flash-EEPROM-Speicher wird Information (
Bits) in einer Speichereinheit (Speicherzelle) in Form von
elektrischen Ladungen auf einem sogenannten „
Floating-Gate“ eines
Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistors
(MISFET) gespeichert. Die Ladungen beeinflussen, wie bei normalen
MISFETs, die Ladungsträger im darunter liegenden Gebiet zwischen Source-
und Drain-Kontakt (der sogenannte Kanal), wodurch die elektrische
Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors beeinflusst wird. Anders als das
Gate bei normalen MISFETs ist das Floating-Gate von allen anderen
Teilen (Kanalgebiet und von Steuer-Gate) durch ein
Dielektrikum (derzeit meist
Siliziumdioxid)
elektrisch isoliert; das Potential auf dem Floating-Gate ist daher im
Grunde undefiniert (dies wird auch als „schwimmend“, englisch
floating, bezeichnet).
Damit Information gezielt gespeichert werden kann, müssen jedoch
Ladungen auf das Floating-Gate gebracht und wieder entfernt werden
können. Diese Änderung des Ladungszustands kann nur mithilfe des
quantenphysikalischen Tunneleffekts
geschehen, der es den Elektronen erlaubt, den eigentlichen Nichtleiter
zu passieren. Da dies jedoch nur durch große Unterschiede im
elektrischen Potential über den Isolator (das eine Potentialbarriere für
Ladungsträger darstellt) erfolgen kann, bewirkt die elektrische
Isolation des Floating-Gate, dass eingebrachte Ladungen nicht
„abfließen“ können und der Speichertransistor seine Information lange
Zeit behält. In der Anfangsphase dieser Technik wurden nur zwei
Ladungszustände unterschieden, daher konnte nur ein Bit gespeichert
werden. Aktuelle Flash-EEPROM-Speicher sind hingegen sogenannte
Multi-Level-Cell-Speicherzellen,
bei denen mehrere Bits pro Speichertransistor gespeichert werden, man
nutzt hierzu verschiedene Ladungszustände des Transistors bzw. dessen
elektrische Leitfähigkeit.
Die Speicherung eines Bits erfolgt über das
Floating-Gate, das eigentliche Speicherelement des Flash-Feldeffekttransistors. Es liegt zwischen dem Steuer-
Gate und der
Source-Drain-Strecke
und ist von dieser wie auch vom Steuer-Gate jeweils mittels einer
Oxid-Schicht isoliert. Im ungeladenen Zustand des Floating-Gate kann im
über das Steuer-Gate aufgesteuerten Transistor in der
Source-Drain-Strecke (Kanal) ein Strom fließen. Werden über das
Steuer-Gate durch Anlegen einer hohen positiven (10–18 V) Spannung
Elektronen
auf das Floating-Gate gebracht, so kann in der Source-Drain-Strecke
auch bei aufgesteuertem Transistor kein Strom mehr fließen, da das
negative Potential der Elektronen auf dem Floating-Gate der Spannung am
Steuer-Gate entgegen wirkt und somit den Flash-Transistor geschlossen
hält.
Der ungeladene Zustand wird wieder erreicht, indem die Elektronen
durch Anlegen einer hohen negativen Spannung über die
Steuergate-Kanal-Strecke wieder aus dem Floating-Gate ausgetrieben
werden. Dabei ist es sogar möglich, dass der Flashtransistor in den
selbstleitenden Zustand gerät, d. h. er leitet sogar dann Strom, wenn am
Steuer-Gate keine Spannung anliegt („Over-Erase“): statt mit Elektronen
ist das Floating-Gate nun quasi mit positiven Ladungsträgern (
Defektelektronen, 'Löchern') besetzt. Das ist insbesondere in NOR-Architekturen (s. u.) problematisch.
Zum Artikel: http://www.pcgames.de/aid,766604
